si2302 (A2SHB)

特性：N沟道MOSFET。 漏源电压 20 V， 连续漏极电流 2.8 A。 采用先进的沟槽工艺技术， 提供优异的导通电阻特性和低栅极电荷。 采用SOT-23表面贴装封装。 应用：负载开关、DC-DC 转换器、便携式设备和工业控制等领域。