ZXTP718MATA
IC
W-DFN-3(2x2)
可供量大可议
ZXTP718MATA
特性：BVCEO > -20V。 IC = -3.5A 连续集电极电流。 低饱和电压 (-220mV 最大值 @ -1A)。 Rsat = 64 mΩ， 实现低等效导通电阻。 hFE 指定至 -6A， 实现高电流增益保持。 低剖面 0.6mm 封装， 适用于薄型应用。 应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
品牌
DIODES
封装
W-DFN-3(2x2)
库存
1
货期
现货
ZXTP718MATA参数
| 封装 | W-DFN-3(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
ZXTP718MATA概述
特性：BVCEO > -20V。 IC = -3.5A 连续集电极电流。 低饱和电压 (-220mV 最大值 @ -1A)。 Rsat = 64 mΩ， 实现低等效导通电阻。 hFE 指定至 -6A， 实现高电流增益保持。 低剖面 0.6mm 封装， 适用于薄型应用。 应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
ZXTP718MATA特性
暂无产品特性。
ZXTP718MATA应用领域
暂无应用领域。