ZXTP2014GTA
IC
SOT-223
可供量大可议
ZXTP2014GTA
特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A， 高连续集电极电流。 ICM = -10A， 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ， 低等效导通电阻。 hFE 指定至 -10A， 高增益保持。 无铅涂层； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 高可靠性
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
904
货期
现货
ZXTP2014GTA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 904 |
ZXTP2014GTA概述
特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A， 高连续集电极电流。 ICM = -10A， 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ， 低等效导通电阻。 hFE 指定至 -10A， 高增益保持。 无铅涂层； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 高可靠性
ZXTP2014GTA特性
暂无产品特性。
ZXTP2014GTA应用领域
暂无应用领域。