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ZXTP2012ZTA
IC

SOT-89

可供量大可议

ZXTP2012ZTA

三极管(BJT) 2.1W 60V 4.3A PNP

品牌

DIODES

封装

SOT-89

库存

12,914

货期

现货

ZXTP2012ZTA参数

封装SOT-89
品牌DIODES(美台)
批次26+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)60V
直流电流增益(hFE)45
集电极截止电流(Icbo)20nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存12,914
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)4.3A
耗散功率(Pd)1.5W
特征频率(fT)120MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))65mV
射基极击穿电压(Vebo)7V

ZXTP2012ZTA概述

三极管(BJT) 2.1W 60V 4.3A PNP

ZXTP2012ZTA特性

暂无产品特性。

ZXTP2012ZTA应用领域

暂无应用领域。

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