ZXTN620MATA
IC
W-DFN-3(2x2)
可供量大可议
ZXTN620MATA
特性：BVCEO > 80V。 IC = 3.5A 连续集电极电流。 低饱和电压（最大185mV @ 1A）。 RSAT = 68mΩ， 等效导通电阻低。 hFE 规定高达 5A， 以保持高电流增益。 低轮廓， 高度 0.6mm， 适用于薄型应用。 应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
品牌
DIODES
封装
W-DFN-3(2x2)
库存
1
货期
现货
ZXTN620MATA参数
| 封装 | W-DFN-3(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
ZXTN620MATA概述
特性：BVCEO > 80V。 IC = 3.5A 连续集电极电流。 低饱和电压（最大185mV @ 1A）。 RSAT = 68mΩ， 等效导通电阻低。 hFE 规定高达 5A， 以保持高电流增益。 低轮廓， 高度 0.6mm， 适用于薄型应用。 应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
ZXTN620MATA特性
暂无产品特性。
ZXTN620MATA应用领域
暂无应用领域。