ZXTN619MATA
IC
DFN-3(2x2)
可供量大可议
ZXTN619MATA
特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 68mΩ， 低等效导通电阻。 HFE 规定至 6A， 高电流增益保持。 低外形 0.6mm 高封装， 适用于薄型应用。 应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
品牌
DIODES
封装
DFN-3(2x2)
库存
2
货期
现货
ZXTN619MATA参数
| 封装 | DFN-3(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
ZXTN619MATA概述
特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 68mΩ， 低等效导通电阻。 HFE 规定至 6A， 高电流增益保持。 低外形 0.6mm 高封装， 适用于薄型应用。 应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
ZXTN619MATA特性
暂无产品特性。
ZXTN619MATA应用领域
暂无应用领域。