ZXTN5551GTA
IC
SOT-223
可供量大可议
ZXTN5551GTA
特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 IC = 600mA 连续集电极电流。 低饱和电压（最大 150mV @10mA）。 hFE 指定高达 50mA 以保持高增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 应用：高压放大
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
305
货期
现货
ZXTN5551GTA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 305 |
ZXTN5551GTA概述
特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 IC = 600mA 连续集电极电流。 低饱和电压（最大 150mV @10mA）。 hFE 指定高达 50mA 以保持高增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 应用：高压放大
ZXTN5551GTA特性
暂无产品特性。
ZXTN5551GTA应用领域
暂无应用领域。