ZXTN2031FTA
IC
SOT-23
可供量大可议
ZXTN2031FTA
特性：BVCEO > 50V。 BVCEV > 80V 正向阻断电压。 IC = 5A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值集电极电流。 低饱和电压， VCE(SAT) < 40mV @1A。 RCE(SAT) = 24mΩ 低等效导通电阻。 应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电机驱动
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
47
货期
现货
ZXTN2031FTA参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
ZXTN2031FTA概述
特性：BVCEO > 50V。 BVCEV > 80V 正向阻断电压。 IC = 5A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值集电极电流。 低饱和电压， VCE(SAT) < 40mV @1A。 RCE(SAT) = 24mΩ 低等效导通电阻。 应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电机驱动
ZXTN2031FTA特性
暂无产品特性。
ZXTN2031FTA应用领域
暂无应用领域。