ZXTN2005GTA
IC
SOT-223
可供量大可议
ZXTN2005GTA
特性：BVCEO > 60V。 IC = 7A 连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 50mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 30mΩ @ 6.5A 用于低等效导通电阻。 hFE 规定高达 20A 以实现高增益保持。 应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
5
货期
现货
ZXTN2005GTA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
ZXTN2005GTA概述
特性：BVCEO > 60V。 IC = 7A 连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 50mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 30mΩ @ 6.5A 用于低等效导通电阻。 hFE 规定高达 20A 以实现高增益保持。 应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
ZXTN2005GTA特性
暂无产品特性。
ZXTN2005GTA应用领域
暂无应用领域。