ZXTD619MCTA
IC
DFN-8-EP(3x2)
可供量大可议
ZXTD619MCTA
特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 68mΩ， 低等效导通电阻。 hEE 在高达 6A 时指定， 保持高电流增益。 双 NPN 节省电路板空间和元件数量。 应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
品牌
DIODES
封装
DFN-8-EP(3x2)
库存
83
货期
现货
ZXTD619MCTA参数
| 封装 | DFN-8-EP(3x2) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 83 |
ZXTD619MCTA概述
特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 68mΩ， 低等效导通电阻。 hEE 在高达 6A 时指定， 保持高电流增益。 双 NPN 节省电路板空间和元件数量。 应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
ZXTD619MCTA特性
暂无产品特性。
ZXTD619MCTA应用领域
暂无应用领域。