ZXTD4591E6TA
IC
SOT-26
可供量大可议
ZXTD4591E6TA
特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V， IC = 1A连续集电极电流。 低饱和电压（最大500mV @ 1A）。 hFE特性可达2A。 RSAT = 210mΩ @ 1A， 低等效导通电阻。 PNP晶体管:BVCEO > -60V， IC = -1A连续集电极电流。 低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。 应用：MOSFET栅极驱动器。 低功率电机驱动器
品牌
DIODES
封装
SOT-26
库存
2,397
货期
现货
ZXTD4591E6TA参数
| 封装 | SOT-26 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2397 |
ZXTD4591E6TA概述
特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V， IC = 1A连续集电极电流。 低饱和电压（最大500mV @ 1A）。 hFE特性可达2A。 RSAT = 210mΩ @ 1A， 低等效导通电阻。 PNP晶体管:BVCEO > -60V， IC = -1A连续集电极电流。 低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。 应用：MOSFET栅极驱动器。 低功率电机驱动器
ZXTD4591E6TA特性
暂无产品特性。
ZXTD4591E6TA应用领域
暂无应用领域。