ZXMN6A11GTA-VB
IC
SOT-223-3
可供量大可议
ZXMN6A11GTA-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT223； N—Channel沟道； 60V； 4.5A； RDS(ON)=76(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.7V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SOT-223-3
库存
5
货期
现货
ZXMN6A11GTA-VB参数
| 封装 | SOT-223-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
ZXMN6A11GTA-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT223； N—Channel沟道； 60V； 4.5A； RDS(ON)=76(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.7V； 采用Trench技术
ZXMN6A11GTA-VB特性
暂无产品特性。
ZXMN6A11GTA-VB应用领域
暂无应用领域。