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ZXMN3F31DN8TA
IC

SO-8

可供量大可议

ZXMN3F31DN8TA

这款新一代沟槽式 MOSFET 的特点是, 在 4.5V 栅极驱动下可实现低导通电阻。

品牌

DIODES

封装

SO-8

库存

5

货期

现货

ZXMN3F31DN8TA参数

封装SO-8
品牌DIODES(美台)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

ZXMN3F31DN8TA概述

这款新一代沟槽式 MOSFET 的特点是, 在 4.5V 栅极驱动下可实现低导通电阻。

ZXMN3F31DN8TA特性

暂无产品特性。

ZXMN3F31DN8TA应用领域

暂无应用领域。

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