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ZXMN2B03E6TA
IC

SOT-26

可供量大可议

ZXMN2B03E6TA

新一代沟槽MOSFET具有低导通电阻, 可通过低栅极驱动实现。

品牌

DIODES

封装

SOT-26

库存

27

货期

现货

ZXMN2B03E6TA参数

封装SOT-26
品牌DIODES(美台)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存27

ZXMN2B03E6TA概述

新一代沟槽MOSFET具有低导通电阻, 可通过低栅极驱动实现。

ZXMN2B03E6TA特性

暂无产品特性。

ZXMN2B03E6TA应用领域

暂无应用领域。

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