ZXMN2A14FTA-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和3A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）低至45毫欧， 可实现高效的电流控制与较低的导通损耗。 适用于各类中低功率电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器及负载开关电路， 具备良好的热稳定性和响应速度， 满足高密度电源设计对小型化与效率提升的需求。