ZXMN10A09KTC-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
ZXMN10A09KTC-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A， 漏源击穿电压达100V， 导通电阻为80毫欧。 其参数特性使其适用于中高压功率开关场景， 常见于各类电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统的负载控制环节。 在直流斩波器或逆变器设计中， 该器件能够承担稳定的电流传输与电压阻断任务， 协助实现高效的电能变换与信号逻辑切换功能。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
45
货期
现货
ZXMN10A09KTC-HXYParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
ZXMN10A09KTC-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A， 漏源击穿电压达100V， 导通电阻为80毫欧。 其参数特性使其适用于中高压功率开关场景， 常见于各类电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统的负载控制环节。 在直流斩波器或逆变器设计中， 该器件能够承担稳定的电流传输与电压阻断任务， 协助实现高效的电能变换与信号逻辑切换功能。
ZXMN10A09KTC-HXY特性
暂无产品特性。
ZXMN10A09KTC-HXY应用领域
暂无应用领域。