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ZXMC6A09DN8TC-VB
IC

SO-8

可供量大可议

ZXMC6A09DN8TC-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N型和P型场效应晶体管, 采用Trench工艺制造, 适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。 SOP8; N+P—Channel沟道, ±60V; 5.3/-4.9A; RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=±1~±3

品牌

VBsemi

封装

SO-8

库存

545

货期

现货

ZXMC6A09DN8TC-VB参数

封装SO-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存545

ZXMC6A09DN8TC-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N型和P型场效应晶体管, 采用Trench工艺制造, 适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。 SOP8; N+P—Channel沟道, ±60V; 5.3/-4.9A; RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=±1~±3

ZXMC6A09DN8TC-VB特性

暂无产品特性。

ZXMC6A09DN8TC-VB应用领域

暂无应用领域。

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