ZXGD3114N7TC
IC
SOIC-7
可供量大可议
ZXGD3114N7TC
ZXGD3114N7是一款600V有源或门MOSFET控制器, 旨在驱动极低RDS(ON)功率MOSFET, 使其作为理想二极管工作。 这可替代标准整流器, 以降低正向压降并全面提高功率传输效率。 ZXGD3114N7可用于轨电压高达±600V的高端和低端电源单元(PSU)。 由于关断阈值仅为 -3mV, 容差为±2mV, 它能使极低RDS(ON)的MOSFET作为理想二极管工作。 在典型的48V配置中, 由于低静态电源电流<1mA, 待机功耗<50mW。 在电源单元出现故障时, 或门控制器会检测到功率下降, 并在<600ns内迅速关断MOSFET, 以阻止反向电流流动, 避免公共总线电压下降。
品牌
DIODES
封装
SOIC-7
库存
6
货期
现货
ZXGD3114N7TC参数
| 封装 | SOIC-7 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率电子开关 |
|---|---|
| 库存 | 6 |
ZXGD3114N7TC概述
ZXGD3114N7是一款600V有源或门MOSFET控制器, 旨在驱动极低RDS(ON)功率MOSFET, 使其作为理想二极管工作。 这可替代标准整流器, 以降低正向压降并全面提高功率传输效率。 ZXGD3114N7可用于轨电压高达±600V的高端和低端电源单元(PSU)。 由于关断阈值仅为 -3mV, 容差为±2mV, 它能使极低RDS(ON)的MOSFET作为理想二极管工作。 在典型的48V配置中, 由于低静态电源电流<1mA, 待机功耗<50mW。 在电源单元出现故障时, 或门控制器会检测到功率下降, 并在<600ns内迅速关断MOSFET, 以阻止反向电流流动, 避免公共总线电压下降。
ZXGD3114N7TC特性
暂无产品特性。
ZXGD3114N7TC应用领域
暂无应用领域。
