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ZXGD3114N7TC
IC

SOIC-7

可供量大可议

ZXGD3114N7TC

ZXGD3114N7是一款600V有源或门MOSFET控制器, 旨在驱动极低RDS(ON)功率MOSFET, 使其作为理想二极管工作。 这可替代标准整流器, 以降低正向压降并全面提高功率传输效率。 ZXGD3114N7可用于轨电压高达±600V的高端和低端电源单元(PSU)。 由于关断阈值仅为 -3mV, 容差为±2mV, 它能使极低RDS(ON)的MOSFET作为理想二极管工作。 在典型的48V配置中, 由于低静态电源电流<1mA, 待机功耗<50mW。 在电源单元出现故障时, 或门控制器会检测到功率下降, 并在<600ns内迅速关断MOSFET, 以阻止反向电流流动, 避免公共总线电压下降。

品牌

DIODES

封装

SOIC-7

库存

6

货期

现货

ZXGD3114N7TC参数

封装SOIC-7
品牌DIODES(美台)
MOQ / SPQ1 / 1
分类功率电子开关
库存6

ZXGD3114N7TC概述

ZXGD3114N7是一款600V有源或门MOSFET控制器, 旨在驱动极低RDS(ON)功率MOSFET, 使其作为理想二极管工作。 这可替代标准整流器, 以降低正向压降并全面提高功率传输效率。 ZXGD3114N7可用于轨电压高达±600V的高端和低端电源单元(PSU)。 由于关断阈值仅为 -3mV, 容差为±2mV, 它能使极低RDS(ON)的MOSFET作为理想二极管工作。 在典型的48V配置中, 由于低静态电源电流<1mA, 待机功耗<50mW。 在电源单元出现故障时, 或门控制器会检测到功率下降, 并在<600ns内迅速关断MOSFET, 以阻止反向电流流动, 避免公共总线电压下降。

ZXGD3114N7TC特性

暂无产品特性。

ZXGD3114N7TC应用领域

暂无应用领域。

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