ZXGD3111N7TC

用于驱动极低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作为理想二极管， 可替代标准整流器， 以降低正向压降并提高功率传输效率。 可用于高侧和低侧电源单元 (PSU)， 轨电压高达 ±200V。 关断阈值仅为 -3mV， 公差为 ±2mV， 可使极低 RDS(ON) MOSFET 作为理想二极管工作。 在典型的 48V 配置中， 待机功耗 <50mW， 静态电源电流 <1mA。 在 PSU 故障情况下， OR 控制器可检测到功率降低， 并在 <600ns 内迅速关断 MOSFET， 以阻止反向电流流动， 避免公共总线电压下降。