ZVN4206GTA-VB
自营可供
IC
SOT-223
ZVN4206GTA-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动器等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 60V； 7A； RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
交期
现货
批次
—
ZVN4206GTA-VB参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V |
| 类型 | N沟道 |
| 商品型号 | ZVN4206GTA-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000285 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
ZVN4206GTA-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动器等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 60V； 7A； RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
ZVN4206GTA-VB特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 符合RoHS指令2002/95/EC
ZVN4206GTA-VB应用领域
- 同步整流
- 电源