ZVN2120GTA-VB
IC
SOT-223
可供量大可议
ZVN2120GTA-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适合于小型模块和空间受限的应用场合。 SOT223； N—Channel沟道, 200V； 1A； RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
Brand
VBsemi
Package
SOT-223
Stock
50
货期
现货
ZVN2120GTA-VBParameters
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:200V 电流:0.8A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 140pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
| 商品型号 | ZVN2120GTA-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000155 |
ZVN2120GTA-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适合于小型模块和空间受限的应用场合。 SOT223； N—Channel沟道, 200V； 1A； RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
ZVN2120GTA-VB特性
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 提供SOT
- 223封装
ZVN2120GTA-VB应用领域
- 或门应用-服务器