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ZTX853
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IC

TO-92

ZTX853

三极管(BJT) 1.2W 100V 4A NPN

品牌

DIODES

封装

TO-92

交期

现货

批次

两年内

ZTX853参数

封装TO-92
品牌DIODES(美台)
批次两年内
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE)100
集电极截止电流(Icbo)50nA
工作温度-55℃~+200℃
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存3,737
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)4A
耗散功率(Pd)1.2W
特征频率(fT)130MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))14mV
射基极击穿电压(Vebo)6V

ZTX853概述

三极管(BJT) 1.2W 100V 4A NPN

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