ZMM55B3V3
IC
MiniMELF
可供量大可议
ZMM55B3V3
特性：硅外延平面芯片结构。 齐纳反向电压范围宽， 为2.40V至100V。 封装尺寸小， 适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 符合欧盟RoHS标准， 无铅
品牌
LGE
封装
MiniMELF
库存
1,200
货期
现货
ZMM55B3V3参数
| 封装 | MiniMELF |
|---|---|
| 品牌 | LGE(鲁光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1200 |
ZMM55B3V3概述
特性：硅外延平面芯片结构。 齐纳反向电压范围宽， 为2.40V至100V。 封装尺寸小， 适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 符合欧盟RoHS标准， 无铅
ZMM55B3V3特性
暂无产品特性。
ZMM55B3V3应用领域
暂无应用领域。