ZM4735A-GS08-HXY
IC
LL-41
可供量大可议
ZM4735A-GS08-HXY
该稳压二极管的反向击穿电压(VR)为6.2V, 适用于提供稳定的参考电压, 广泛用于模拟信号处理和电源电压钳位电路中。 其正向导通电流(IF)可达0.146A, 正向压降(VF)为1.2V, 具备一定的电流承载能力。 在反向截止状态下, 漏电流(IR)典型值为10μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件常用于低功率电源模块、电压检测电路、过压保护单元以及信号电平转换场合, 适合对电压精度和工作稳定性有一定要求的电子设备应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
LL-41
库存
230
货期
现货
ZM4735A-GS08-HXY参数
| 封装 | LL-41 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 230 |
ZM4735A-GS08-HXY概述
该稳压二极管的反向击穿电压(VR)为6.2V, 适用于提供稳定的参考电压, 广泛用于模拟信号处理和电源电压钳位电路中。 其正向导通电流(IF)可达0.146A, 正向压降(VF)为1.2V, 具备一定的电流承载能力。 在反向截止状态下, 漏电流(IR)典型值为10μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件常用于低功率电源模块、电压检测电路、过压保护单元以及信号电平转换场合, 适合对电压精度和工作稳定性有一定要求的电子设备应用。
ZM4735A-GS08-HXY特性
暂无产品特性。
ZM4735A-GS08-HXY应用领域
暂无应用领域。
