ZHB6718TA
IC
SOT-223-8
可供量大可议
ZHB6718TA
特性：BJT H桥：2×NPN + 2×PNP。 连续集电极电流：Ic = 2.5A。 NPN晶体管: -BVCEO > 20V。 -低饱和电压：VCE(sat) < 150mV @ 1A。 PNP晶体管: -BVCEO > -20V。 -低饱和电压：VCE(sat) < -200mV @ -1A。 无铅表面处理； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
品牌
DIODES
封装
SOT-223-8
库存
146
货期
现货
ZHB6718TA参数
| 封装 | SOT-223-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 146 |
ZHB6718TA概述
特性：BJT H桥：2×NPN + 2×PNP。 连续集电极电流：Ic = 2.5A。 NPN晶体管: -BVCEO > 20V。 -低饱和电压：VCE(sat) < 150mV @ 1A。 PNP晶体管: -BVCEO > -20V。 -低饱和电压：VCE(sat) < -200mV @ -1A。 无铅表面处理； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
ZHB6718TA特性
暂无产品特性。
ZHB6718TA应用领域
暂无应用领域。