ZDT6753TA
IC
SOT-223-8
可供量大可议
ZDT6753TA
特性：NPN晶体管：BVCEO > 100V。 IC = 2A， 高连续电流。 低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。 PNP晶体管：BVCEO > -100V。 IC = -2A， 高连续电流。 低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 高可靠性
品牌
DIODES
封装
SOT-223-8
库存
4
货期
现货
ZDT6753TA参数
| 封装 | SOT-223-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
ZDT6753TA概述
特性：NPN晶体管：BVCEO > 100V。 IC = 2A， 高连续电流。 低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。 PNP晶体管：BVCEO > -100V。 IC = -2A， 高连续电流。 低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 高可靠性
ZDT6753TA特性
暂无产品特性。
ZDT6753TA应用领域
暂无应用领域。