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ZC010NDG-K
自营可供
IC

DFN-8(3x3)

ZC010NDG-K

N管/30V/40A/9MΩ/(典型6.6MΩ)

品牌

DOINGTER

封装

DFN-8(3x3)

交期

现货

批次

—

ZC010NDG-K参数

封装DFN-8(3x3)
品牌DOINGTER(杜因特)
MOQ / SPQ1 / 10
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)31W
栅极电荷量(Qg)9.8nC@10V
反向传输电容(Crss)108pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号ZC010NDG-K
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存5000
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))6.6mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.46V
输入电容(Ciss)900pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)126pF
商品名称ZC010NDG-K
封装DFN3x3-8
单位个
商品重量0.00013166

ZC010NDG-K概述

N管/30V/40A/9MΩ/(典型6.6MΩ)

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