YPN438S
IC
SOP-8
可供量大可议
YPN438S
特性：专有新型沟槽技术。 超低米勒电容。 N沟道MOS管导通电阻（典型值）：VGS = 10V时为18mΩ。 P沟道MOS管导通电阻（典型值）：VGS = 10V时为30mΩ。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：高效DC/DC转换器。 同步整流
品牌
Silicon Billion
封装
SOP-8
库存
10
货期
现货
YPN438S参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | Silicon Billion(硅兆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
YPN438S概述
特性：专有新型沟槽技术。 超低米勒电容。 N沟道MOS管导通电阻（典型值）：VGS = 10V时为18mΩ。 P沟道MOS管导通电阻（典型值）：VGS = 10V时为30mΩ。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：高效DC/DC转换器。 同步整流
YPN438S特性
暂无产品特性。
YPN438S应用领域
暂无应用领域。