YJS12N03A
IC
SOP-8
可供量大可议
YJS12N03A
򘞟 񄂹 𢺫 W 򘞟 򏟋 V 󗙻 񄂹 𢺫 V 򘞟 򬓹 񄂹 𮧂 nC@ 󗙻 򏟋 V 󗙻 个N沟道 򬓹 򏟋 V 𛾾 mΩ@ 󗙻 򏟋 V 󗙻 򘞟 A 󗙻 񄂹 򏟋 󗙻 𢺫 nF SOP-򑵼
品牌
YANGJIE
封装
SOP-8
库存
7,980
货期
现货
YJS12N03A参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | YANGJIE/扬州扬杰电子 |
| 批次 | 2610+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | YJS12N03A |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000196 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7980 |
| MOQ / SPQ | 5 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:12A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
YJS12N03A概述
沟槽功率低压MOSFET技术 - 用于低RDS(ON)的高密度单元设计 - 高速开关
YJS12N03A特性
- VDS -30V
- ID -50A
- RDS(ON)（VGS = -10V时）< 6.2毫欧
- RDS(ON)（VGS = -4.5V时）< 11毫欧
- 100%进行VDS测试
YJS12N03A应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理