YJQ23GP06A
自营可供
IC
DFN(3.3x3.3)
YJQ23GP06A
场效应晶体管（FET） YJQ23GP06A
品牌
YANGJIE
封装
DFN(3.3x3.3)
交期
现货
批次
26+
YJQ23GP06A参数
| 封装 | DFN(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | YANGJIE(扬杰) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V； 35mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | P沟道增强型场效应晶体管 |
| 封装 | DFN3333-8L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 6e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23,361 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V； 18.7nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
| 商品型号 | YJQ23GP06A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
YJQ23GP06A概述
场效应晶体管（FET） YJQ23GP06A
YJQ23GP06A特性
- VDS = -30 V
- ID (VGS~~- 10 V)~~- 8 A
- RDS(ON)(VGS = -10 V) < 32 mΩ
- RDS(ON)(VGS) = -4.5 V < 55mΩ
YJQ23GP06A应用领域
- 电源管理-工业 DC/DC 转换电路