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YJQ23GP06A
IC

DFN-3333-8L

可供量大可议

YJQ23GP06A

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品牌

YANGJIE

封装

DFN-3333-8L

库存

9,000

货期

现货

YJQ23GP06A参数

封装DFN-3333-8L
品牌YANGJIE/扬州扬杰电子
批次2635+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V; 35mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.8V
输入电容(Ciss)1.1nF
类型P沟道
商品名称P沟道增强型场效应晶体管
封装DFN3333-8L
单位个
商品重量6e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存9000
MOQ / SPQ5 / 5
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)43W
栅极电荷量(Qg)8.8nC@4.5V; 18.7nC@10V
反向传输电容(Crss)28pF
输出电容(Coss)350pF
商品型号YJQ23GP06A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

YJQ23GP06A概述

分裂栅沟槽 MOSFET 技术 - 低RDS(ON)和品质因数 (FOM) - 低反向传输电容 (Crss) - 极低的开关损耗 - 出色的稳定性和一致性 - 潮湿敏感度等级 3 - 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级 - 无卤

YJQ23GP06A特性

  • VDS = -30 V
  • ID (VGS~~- 10 V)~~- 8 A
  • RDS(ON)(VGS = -10 V) < 32 mΩ
  • RDS(ON)(VGS) = -4.5 V < 55mΩ

YJQ23GP06A应用领域

  • 电源管理-工业 DC/DC 转换电路

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