YJQ20N04A
自营可供
IC
DFN(3.3x3.3)
YJQ20N04A
场效应管(MOSFET) 21W 40V 20A 1个N沟道
品牌
YANGJIE
封装
DFN(3.3x3.3)
交期
现货
批次
26+
YJQ20N04A参数
| 封装 | DFN(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | YANGJIE(扬杰) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 917pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:20A |
| 封装 | DFN3333-8L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000119 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24,119 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | YJQ20N04A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
YJQ20N04A概述
场效应管(MOSFET) 21W 40V 20A 1个N沟道
YJQ20N04A特性
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 经过100%漏源电压变化率测试
YJQ20N04A应用领域
- 大电流负载应用-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源