YJQ2012A
IC
DFN2020-6L
可供量大可议
YJQ2012A
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品牌
YANGJIE
封装
DFN2020-6L
库存
4,496
货期
现货
YJQ2012A参数
| 封装 | DFN2020-6L |
|---|---|
| 品牌 | YANGJIE/扬州扬杰电子 |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV |
| 输入电容(Ciss) | 777pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | YJQ2012A |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.5e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4496 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:12A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
YJQ2012A概述
沟槽功率低压MOSFET技术-高功率和高电流处理能力
YJQ2012A特性
- 沟槽式场效应晶体管（Trench FET）功率MOSFET
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- RDS(ON) < 65 mΩ（VGS = -10 V）
- RDS(ON) < 75 mΩ（VGS = -4.5 V）
- RDS(ON) < 90 mΩ（VGS = -2.5 V）
YJQ2012A应用领域
- PWM应用-负载开关