YJL02N10A
IC
可供量大可议
YJL02N10A
1.3W 20V 9.56nC@ 10V 1个N沟道 100V 250mΩ@ 10V 2A 330pF@50V SOT-23 贴片安装
品牌
YANGJIE
封装
库存
6,000
货期
现货
YJL02N10A参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6000 |
| MOQ / SPQ | 10 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | YJL02N10A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 品牌 | YANGJIE/扬州扬杰电子 |
|---|---|
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 输入电容(Ciss) | 330pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:2A |
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.3e-05 |
YJL02N10A概述
沟槽功率中压MOSFET技术 - 出色的散热封装 - 用于低RDS(ON)的高密度单元设计 - 湿度敏感等级1级
YJL02N10A特性
暂无产品特性。
YJL02N10A应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能