YJG70G06A
IC
PDFN5060-8L
可供量大可议
YJG70G06A
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 具有出色的散热封装。 采用高密度单元设计, 实现低导通电阻RDS(ON)
品牌
YANGJIE
封装
PDFN5060-8L
库存
4,464
货期
现货
YJG70G06A参数
| 封装 | PDFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | YANGJIE(扬杰) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4464 |
YJG70G06A概述
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 具有出色的散热封装。 采用高密度单元设计, 实现低导通电阻RDS(ON)
YJG70G06A特性
暂无产品特性。
YJG70G06A应用领域
暂无应用领域。