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XRS80P06
IC

TO252-3L

可供量大可议

XRS80P06

特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计。 应用:电池开关应用。 硬开关和高频电路

品牌

XNRUSEMI

封装

TO252-3L

库存

9

货期

现货

XRS80P06参数

封装TO252-3L
品牌XNRUSEMI(新锐)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存9

XRS80P06概述

特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计。 应用:电池开关应用。 硬开关和高频电路

XRS80P06特性

暂无产品特性。

XRS80P06应用领域

暂无应用领域。

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