XRS75N10F
IC
PDFN5060-8L
可供量大可议
XRS75N10F
使用超级沟槽技术和设计， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 可用于各种应用。 封装形式为PDFNS060-8L， 符合ROHS标准和无卤标准。 100%进行DVDS测试和雪崩测试。
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN5060-8L
库存
9,132
货期
现货
XRS75N10F参数
| 封装 | PDFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9132 |
XRS75N10F概述
使用超级沟槽技术和设计， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 可用于各种应用。 封装形式为PDFNS060-8L， 符合ROHS标准和无卤标准。 100%进行DVDS测试和雪崩测试。
XRS75N10F特性
暂无产品特性。
XRS75N10F应用领域
暂无应用领域。