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XRS65V06F
IC

PDFN-8L(5x6)

可供量大可议

XRS65V06F

双N沟道MOSFET, 采用分裂栅沟槽MOSFET技术, 散热封装出色, 低导通电阻

品牌

XNRUSEMI

封装

PDFN-8L(5x6)

库存

275

货期

现货

XRS65V06F参数

封装PDFN-8L(5x6)
品牌XNRUSEMI(新锐)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存275

XRS65V06F概述

双N沟道MOSFET, 采用分裂栅沟槽MOSFET技术, 散热封装出色, 低导通电阻

XRS65V06F特性

暂无产品特性。

XRS65V06F应用领域

暂无应用领域。

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