XRS60N10F
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
XRS60N10F
特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻RDS(ON)。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
2,685
货期
现货
XRS60N10F参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2685 |
XRS60N10F概述
特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻RDS(ON)。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
XRS60N10F特性
暂无产品特性。
XRS60N10F应用领域
暂无应用领域。