XRS55N10
IC
TO252-3L
可供量大可议
XRS55N10
采用超级沟槽技术和设计， 可提供出色的导通电阻和低栅极电荷， 可用于各种应用。 封装形式为TO252-3L， 符合ROHS标准和无卤标准。
品牌
XNRUSEMI
封装
TO252-3L
库存
2,080
货期
现货
XRS55N10参数
| 封装 | TO252-3L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2080 |
XRS55N10概述
采用超级沟槽技术和设计， 可提供出色的导通电阻和低栅极电荷， 可用于各种应用。 封装形式为TO252-3L， 符合ROHS标准和无卤标准。
XRS55N10特性
暂无产品特性。
XRS55N10应用领域
暂无应用领域。