XRS50N06F
IC
PDFN5060-8L
可供量大可议
XRS50N06F
特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻RDS(ON)。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN5060-8L
库存
3,430
货期
现货
XRS50N06F参数
| 封装 | PDFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3430 |
XRS50N06F概述
特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻RDS(ON)。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
XRS50N06F特性
暂无产品特性。
XRS50N06F应用领域
暂无应用领域。