XRS30N06D
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
XRS30N06D
特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 优秀的散热封装。 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
2,440
货期
现货
XRS30N06D参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2440 |
XRS30N06D概述
特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 优秀的散热封装。 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
XRS30N06D特性
暂无产品特性。
XRS30N06D应用领域
暂无应用领域。