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XRS306D
IC

PDFN-8L(3.3x3.3)

可供量大可议

XRS306D

双N沟道快速开关MOSFET, 采用分裂栅沟槽MOS技术

品牌

XNRUSEMI

封装

PDFN-8L(3.3x3.3)

库存

1,530

货期

现货

XRS306D参数

封装PDFN-8L(3.3x3.3)
品牌XNRUSEMI(新锐)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1530

XRS306D概述

双N沟道快速开关MOSFET, 采用分裂栅沟槽MOS技术

XRS306D特性

暂无产品特性。

XRS306D应用领域

暂无应用领域。

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