XRS200N12G
IC
TO-263
可供量大可议
XRS200N12G
特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌
XNRUSEMI
封装
TO-263
库存
422
货期
现货
XRS200N12G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 422 |
XRS200N12G概述
特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
XRS200N12G特性
暂无产品特性。
XRS200N12G应用领域
暂无应用领域。