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XRS180N03F
IC

PDFN-8L(5x6)

可供量大可议

XRS180N03F

N沟道快速开关MOSFET, 采用分裂栅沟槽MOSFET技术, 具备良好散热封装和高密度单元设计

品牌

XNRUSEMI

封装

PDFN-8L(5x6)

库存

560

货期

现货

XRS180N03F参数

封装PDFN-8L(5x6)
品牌XNRUSEMI(新锐)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存560

XRS180N03F概述

N沟道快速开关MOSFET, 采用分裂栅沟槽MOSFET技术, 具备良好散热封装和高密度单元设计

XRS180N03F特性

暂无产品特性。

XRS180N03F应用领域

暂无应用领域。

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