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XRS160N06HG
IC

TO-263

可供量大可议

XRS160N06HG

特性:Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用:DC-DC转换器。 电源管理功能

品牌

XNRUSEMI

封装

TO-263

库存

1,623

货期

现货

XRS160N06HG参数

封装TO-263
品牌XNRUSEMI(新锐)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1623

XRS160N06HG概述

特性:Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用:DC-DC转换器。 电源管理功能

XRS160N06HG特性

暂无产品特性。

XRS160N06HG应用领域

暂无应用领域。

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