XRS15P10D
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
XRS15P10D
特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：电池开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
220
货期
现货
XRS15P10D参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 220 |
XRS15P10D概述
特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 应用：电池开关应用。 硬开关和高频电路
XRS15P10D特性
暂无产品特性。
XRS15P10D应用领域
暂无应用领域。