XRS100N06LD
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
XRS100N06LD
特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
5,315
货期
现货
XRS100N06LD参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5315 |
XRS100N06LD概述
特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
XRS100N06LD特性
暂无产品特性。
XRS100N06LD应用领域
暂无应用领域。