XRA10AA30SES
IC
SMD, 5.1x2.5mm
可供量大可议
XRA10AA30SES
是高性能氮化铝 (AlN) 芯片衰减器, 作为氧化铍 (BeO) 的低成本替代方案。 专为 LTE 和 5G 无线通信频段设计。 高功率处理能力使其适用于级间匹配、定向耦合器和隔离器。 该衰减器也符合 RoHS 标准。
品牌
TTM Technologies, Inc.
封装
SMD, 5.1x2.5mm
库存
10
货期
现货
XRA10AA30SES参数
| 封装 | SMD, 5.1x2.5mm |
|---|---|
| 品牌 | TTM Technologies, Inc. |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | RF衰减器 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
XRA10AA30SES概述
是高性能氮化铝 (AlN) 芯片衰减器, 作为氧化铍 (BeO) 的低成本替代方案。 专为 LTE 和 5G 无线通信频段设计。 高功率处理能力使其适用于级间匹配、定向耦合器和隔离器。 该衰减器也符合 RoHS 标准。
XRA10AA30SES特性
暂无产品特性。
XRA10AA30SES应用领域
暂无应用领域。
