SOT-23-6L
P+N沟道快速开关MOSFET， 采用先进高单元密度沟槽技术， 超低栅极电荷， 具备出色CdV/dt效应衰减
品牌
XNRUSEMI
封装
库存
5,340
货期
现货
暂无产品特性。
暂无应用领域。
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